JFETs - Дистрибьютор электронных компонентов - Страницы 262

Производитель

Panasonic Electronic Components

National Semiconductor

Renesas Electronics Corporation

Diodes Incorporated

Microchip Technology

Toshiba Semiconductor and Storage

Microsemi Corporation

Texas Instruments

Infineon Technologies

Central Semiconductor Corp

Nisshinbo Micro Devices Inc.

Rochester Electronics, LLC

Qorvo

NTE Electronics, Inc

Solid State Inc.

Linear Integrated Systems, Inc.

InterFET

NTE Electronics, Inc

Intersil

Precision Monolithics

Harris Corporation

Fairchild Semiconductor

NEC Corporation

Sanyo

Linear Technology

Advanced Micro Devices

Burr Brown

Motorola

продукты

262 / 268 Страницы，Всего 3207 Данные Предыдущая страница | Следующая страница

Номер запчасти	Производитель	Описание	Запасы	Количество	Упаковка	Статус	Подробности
M38510/11904BPX	Texas Instruments	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8CDIP	8649	RFQ	Bag	Obsolete	Подробности
J2A012YXT/S1AY731J	NXP USA Inc.	JFET	4068	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Подробности
J2A012YXT/S1AY732J	NXP USA Inc.	JFET	7946	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Подробности
J2A012YXT/S1AY7HFJ	NXP USA Inc.	JFET	4913	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Подробности
J2A012YXY/S1AY731J	NXP USA Inc.	JFET	4391	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Подробности
J2A012YXY/S1AY73AJ	NXP USA Inc.	JFET	8333	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Подробности
J2A012YXY/S1AY7UZJ	NXP USA Inc.	JFET	6015	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Подробности
J2A012YXZ/S1AY731J	NXP USA Inc.	JFET	5649	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Подробности
J2A012YXZ/S1AY73AJ	NXP USA Inc.	JFET	6664	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Подробности
J2A012YXZ/S1AY7UZJ	NXP USA Inc.	JFET	6353	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Подробности
J2A012ZXS/S1AZ197J	NXP USA Inc.	JFET	8768	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Подробности
J2A012ZXS/S1AZ299J	NXP USA Inc.	JFET	5386	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Подробности

262 / 268 Страницы，Всего 3207 Данные

JFETs

Транзисторы с эффектом поля (JFET) являются устройствами, используемыми в качестве электронных переключателей управления, усилителей или сопротивления сжатия. Разница потенциала, наложенная на соответствующий полюс между полем и источником, увеличивает сопротивление току, что означает, что меньше тока будет течь в канаве между полем источника и полем утечки. Поскольку заряд течет через полупроводниковые каналы между источниками и терминами утечки, JFETs не нуждаются в смещенном токе.